Страница - 218, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры

Зависимость заряда переключения от напряжения.


ЗА527А, ЗА527Б

Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шот-тки. Предназначены для использования в импульсных схемах пико- и наносекундного диапазона.


Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: ЗА527А — желтой, ЗА527Б — двумя желтыми.

Масса диода не более 0,5 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА', не более: при 298 и 358 К

ЗА527А JI .... .......... 1,0 В

ЗА527Б...... .......... 1,1 В

при 213 К

ЗА527А    . 11 . V ...... . 1,3 В

ЗА527Б . Я . Д1 . . . . . . . . . . . 1,4 В Постоянный обратный ток при U0§1 = 9 В, не более:

при 213 и 298 К ......I 1.....2,0 мкА

при 358 К • . . . . . . . . .......20 мкА

Общая емкость диода при |||§| = 0, не более:

ЗА527А 1 . . . . j І" J . . ... . . . 0,5 пФ

ЗА527Б . . . . . . . ... . .......0,3 пФ

Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мА, не

более , . ..........................100* Ом

Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более , .............. 100* пс

219