Страница - 206, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от скважности.


I J J H 5 6 7 8 Скважность


133 2 73 313 353 Н


Зависимость максимально допустимо го импульсного прямого тока от тем пературы


Диод кремниевый эпитаксиально-] планарный.


Выпускается в пластмассовом корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,11 г.

Постоянное прямое напряжение, не более: при /пр = 1 мА

при 298 К.......j......jj 0,57 В

при 358 К ! . . ... . . . ......0,44 В

при 213 К ...... j........0,75 В

йри /пр = 100 мА

при 298 и 358 К............ 1,1 В

при 213 К Щ. , . ... . . . . .. . . 1,5 В Температурный коэффициент прямого напряжения в диапазоне температур от 213 до 358 К...... 0,0022 В/К

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный или средний прямой ток:

при 308 К . . . . .... Я-.....100 мА

при 358 К § 1 . , . . ... . . .... 50 мА

207