Страница - 196, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Заряд переключения при /пр = 50 мА, С/0бр, и = Ю В для

j 2Д509А, не более . . . I , . . .......



Общая емкость диода при £/обр = 0 для 2Д509А,

не более . . . л .............

Время восстановления обратного сопротивления при /пр=10 мА, (/обр,и= Ю В, /отсч = 2 мА для 2Д509А, не более ..................

Зависимость обратного тока от температуры.

Зависимость общей емкости от напряжения.

Зависимость заряда переключения от прямого тока.

2Д509А, КД509А

Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,25 г.


Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр =100 мА, не более:

2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 398 К 1,1 В

* 2Д509А при 213 К и КД509А при 218 К . . . . . 1,5 В Постоянный обратный ток при U^p = 50 В, не более:

Зависимость прямого тока от напряжения.


2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 213 К 5 мкА 2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К . . . . . 100 мкА

Зависимость обратного тока от

напряжения.

196