Страница - 193, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




1Д507А, ГД507А

Диоды германиевые микросплавные.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,2 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА, не более:

1Д507А при 298 и 343 К и ГД507А при 298 и

.зіа-к І . .    ..у... ......* . о,5в

1Д507А при 213 К и ГД507А при 233 К..........0,7 В

1Д507А при /пр і 20 мА и 298 К..............0,8 В

Импульсное прямое напряжение при /пр | = 50 мА, не более:

1Д507А . \ I . М . ... !............3,5 В

ГД507А : . . ;"Г . . ... . . ... . .    4,0 В Постоянный обратный ток при Щбр = 20 В, не более:

1Д507А при 213 и 298 К и ГД507А при 298 К    50 мкА

1Д507А при 343 К І........................300 мкА

Общая емкость диода при £/обр = 5 В, не более ....    0,8 пФ Время восстановления обратного сопротивления при

Лір, и = 10 мА, (/обр,и = 20 В, /ОТсч = І мА, не более    0,1 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное или импульсное обратное напряжение . ... 20 В Импульсное обратное напряжение при скважности не менее 4 для 1Д507А при ти < 5 мкс и ГД507А при ти < 2 мкс . . . ѵ Щ . . і .• ....... 30 В

Постоянный или средний прямой ток........16 мА

Постоянный или средний прямой ток при снижении

обратного напряжения до 12 В.........35 мА

Импульсный прямой ток (без превышения среднего прямого тока):

1Д507А при ти < 1 мкс I ! . . Ц..... 200 мА

ГД507А при ти < 10 мкс . ..........100 мА

Температуры окружающей среды:

1Д507А .... I .............От 213 до

343 К

ГД507А.................От 233 до

333 к

7 под ред. Н. Н. Горюнова    193