Страница - 187, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость обшей емкости от напряжения.

2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М,


2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М



Диоды кремниевые микро-сплавные. Предназначены для применения в заливных и капсули-рованных микромодулях.

Выпускаются на керамических платах с распайкой к пазам

1 6, 14 или 25. Тип диода приводится на микроплате. Положительный электрод диода соединен с пазами 1 или 2.

Масса диода с микроплатой не более 0,4 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение для 2ДМ502А, 2ДМ502В при /пр = 10 мА и 2ДМ502Б, 2ДМ502Г при /пр =

= 50 мА, не более ............ IB

Импульсное прямое напряжение при /Пр,и = 50 мА, не более:

2ДМ502А, 2ДМ502В........... . 3,5 В

2ДМ502Б, 2ДМ502Г ............ 2,5 В

Постоянный обратный ток при £/обр = 1/о6р махс:

от 213 до 298 К............ 5 мкА

при 358 К

2ДМ502А, 2ДМ502Б............25 мкА

2ДМ502В, 2ДМ502Г............40 мкА

Время восстановления обратного сопротивления при

^обр = 30 В, /пр = 30 мА, не более.......0,5 мкс

187