Страница - 186, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение для 2Д502А, 2Д502В при І„р = 10 мА и 2Д502Б, 2Д502Г при /пр = 50 мА, не более . . і . I I '. . ІрІ I I I , • '•»чяЯЯ • • 1,0 В Импульсное прямое напряжение при /пр Я = 50 мА, не более: 2Д502А, 2Д502В . «Ш . Щ 4 . ! . ♦ • .Н* 3,5 В 2Д502Б, 2Д502Г . %■    . .• . 2,5 В

Постоянный обратный ток при С/0бр = f/обр.макс, не более:

от 213 до 298 К . . Ш|і&' . . . . V- . . • 5 мкА при 358 К

2Д502А, 2Д502Б * .    .....К . 25 мкА

2Д502В, 2Д502Г . . ... . t Л. • Г V • • 40 мкА Время восстановления обратного сопротивления при {/обр=30 В, /пр = 30 мА, не более ....... 0,5 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение:

2Д502А, 2Д502Б ............. 30 В

2Д502В, 2Д502Г . . Ш’. . Ж . . Ш . . ѵ . 100 В Средний прямой ток:

от 213 до 298 К ••. ЯК . . .    20 мА

при 358 К .    , ІШвШІїШІ Ю мА

Импульсный прямой ток . . . . ....... >уі . 300 мА

Температура окружающей среды . . . . . ... . От 213 до

358 К

Примечания: 1. После монтажа на микроплату диоды заливаются эмалью ЭП-274Т.

2.    Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, температура корпуса при пайке не выше 353 К.

3.    Изгиб выводов диода не допускается.

Зависимость обратного тока от

напряжения.

Зависимость прямого тока от

напряжения.

186