Страница - 184, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б

Диоды кремниевые эпитаксиальные со структурой типа р-і-п. Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастотных резистивных элементов.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Дітды маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д413А — зеленой, 2Д413Б— зеленой и красной, КД413А — белой, КД413Б — белой и красной.

Масса диода не более 0,035 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр = 20 мА, не более: 2Д413А, 2Д413Б при 298 и 398 К и КД413А, КД413Б

при 298 К . . . . . . . . ^    1,0 В

2Д413А, 2Д413Б при 213 К . : ■ . . % . . 1,2 В Дифференциальное сопротивление при 7пр = 2 мА на частоте 50 МГц:

2Д413А, КД413А . . ^ : Н . . . . ЩКШ . - / 30-48

60 Ом

2Д413Б, КД413Б . .. . . . Ж . . . ’.Г;»:, . 40 - 62Ь-

80 Ом

Заряд1 переключения при Іпр = 2 мА, С/0бр=Ю В . Ш ! 2 — 2,5 * —

3,8 * нКл

Общая емкость диода при U0qp = 0, не более , . | 0,7 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное импульсное обратное напряжение для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б — от 213 до 353 К | . ! | 24 В Постоянный или средний прямой ток для 2Д413А,

2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б — от 213 до 353 К . . . . . f J 20 мА Рассеиваемая мощность для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б-от 213 до 353 К . ЩШШ ЦН HI И ... 20 мВт Температура окружающей среды:

2Д413А, 2Д413Б . Щ Щ . . . Ж . . .! | . . От 213 до

, 39.8 К,

КД416А, КД413Б. . ......... . . От 213 .до

353 К

,184

Температура перехода для 2Д413А, 2Д413Б . . 1 Я . 403 К