Страница - 182, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Импульсный прямой ток прй ти В Ю мкс и скважности, равной или более 10, при температуре: от 213 до 308 К . . ч. . . ,, . . .. • •.ѵУ, • 500 .мА ..при 373 К fe . . . \ . '. . , . . . . 250 мА Температура окружающей среды . . ........От 213 до

Кю

Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока.

Зависимость дифференциального сопротивления от температуры.

Зависимость заряда переключения от прямого тока.

Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) и импульсного тока от температуры.-


КД409А

Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для использования в селекторах телевизионных каналов и схемах высокочастотных детекторов.


Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Диод маркируется на корпусе желтой точкой.

Масса диода не более 0,16 г.

182