Страница - 113, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость обшей емкости от напряжения.

Зависимость допустимого прямого тока от теплового сопротивления.


Зависимость- допустимого пря- Зависимость допустимого мого тока перегрузки от дли- прямого тока перегрузки от тельности импульса.    длительности импульса.

2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б, КД213В, КД213Г

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.

I Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.


Масса диода не более 4 г.

113