Страница - 110, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




при Щ = 403 К 2Д210А, 2Д210В | . 1- 1 ІІ1ІЩ Ш . . ЩШ'.' 5 А '

2Д210Б, 2Д210Г IWBMШЩ ЯЩ1 М . ИДЯ    10 А

при ти = 1,5 с, /= 50 Гц, Ц от 213 до 323 К ! И I    30 А при Тк = 373 К

2Д210А, 2Д210В§|.' . |'Щ Щ 1 . . Г . .    15 А

2Д210Б, 2Д210Г Щ \ ....... |    30 А ,

при Тк = 403 К

2Д210А, 2Д210В . Щ . ...... | . . .    3 А :]

2Д210Б, 2Д210Г . ! ,4’Щ j И Я | К    6 А .1

Импульсный обратный ток перегрузки в течение 100 мкс:

2Д210А, 2Д210В . ІИрГ | ММ Щ !    1 А

2Д210Б, -2Д210Г . . . . . ШЯШі\ Ijj .В 1,2 А

Частота без снижения режимов ! . ........ 1000 Гц

Частота со снижением Ш „г . . . Я . .... 5000 Гц Рассеиваемая мощность при Тк от 213 до 323 К ! ! ! 20 Вт при Тк І 373 К

2Д210А, 2Д210В|§ * ИЩ 1 . ШЯМШг . Щ Вт. 2Д210Б, 2Д210Г J ] 1 і г . X..    . gf 20 Вт

при Тк = 403 К

2Д210А, 2Д210В Мі ВВ .    . :Щ, . ДЯ 2 Вт

2Д210Б, 2Д210Г . , 1 Н . » . Щ . \ . 4 Вт Температура окружающей среды:

2Д210А, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д210Г . ! ... .От 213 К до

Тк = 403 К

КД210А, КД210Б, КД210В, КД210Г.....От 213 К до

Гк = 373 К

Температура корпуса:

2Д210А, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д210Г ...... 403 К

КД210А, КД210Б, КД210В, КД210Г ...... 373 К

Температура перехода . I Ш ! . . ! . . . ! 413 К Тепловое сопротивление кристалл — корпус.....3 К/Вт

Примечание. Допускается последовательное соединение диодов без шунтирования до напряжения 30 кВ.


Зависимость допустимого сред-    Зависимость среднего прямого тока него прямого тока от темпе-    перегрузки от температуры кор-ратуры корпуса. пуса.

110